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| 課程編號 | P107154 |
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| 課程分類 | IC製造與設備 |
| 課程名稱(中) | 【工四館301室】矽鍺材料與元件 |
| 授課教師 | 羅廣禮 |
| 課程程度 | 進階 |
| 先修科目或先備能力 | 半導體物理或固態物理 |
| 課程大綱 | 1. 矽鍺材料 1.1 矽鍺晶體結構 1.2 矽鍺應變與臨界厚度(critical thickness) 1.3 矽鍺能帶結構(band structure) 2. 矽鍺成長 2.1 CVD 磊晶 3. 矽鍺元件 3.1 雙軸應變(bi-axial strained)MOSFETs 3.2 單軸應變(uni-axial strained)MOSFETs 3.3 SiGe HBTs 4. Ge元件 4.1 Ge MOSFETs |
| 課程目的 | 矽鍺技術已成功應用在半導體元件製造方面，如SiGe HBT, SiGe MOSFETs等。目前有關SiGe, Ge元件的研發仍然在持續當中。本課程主要讓學員在短時間內對SiGe材料的物理特性、電學特性、SiGe磊晶、SiGe相關元件以及最新進展有一個全面瞭解，以增強學員在該領域的知識背景和拓寬專業 |
| 開課日期 | 2018-08-24 |
| 結束日期 | 2018-08-31 |
| 出席時數 | 每週五 |
| 上課時段 | Pm18:30~21:30 |
| 課程總時數 | 6小時 |
| 上課地點 | 交通大學工程四館301教室 |
| 實作地點 | 無實作 |
| 下載報名表 | P107154 矽鍺材料與元件 若無法線上報名, 請下載報名表寄至nctuee@nctu.edu.tw |
| 學費 |
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| 線上報名開始時間 | 2018-03-21 |
| 線上報名結束時間 | 2018-08-24 |
| 線上報名人數限制 | 不限制 |
| 建立者 | 林明霓 |
| 最後修改時間 | 2018-08-14 10:56:17 |
