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課程管理

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課程資料
課程編號P107154
課程分類IC製造與設備
課程名稱(中)【工四館301室】矽鍺材料與元件
授課教師羅廣禮
課程程度進階
先修科目或先備能力半導體物理或固態物理
課程大綱

1. 矽鍺材料

1.1 矽鍺晶體結構

1.2 矽鍺應變與臨界厚度(critical thickness)

1.3 矽鍺能帶結構(band structure)

2. 矽鍺成長

2.1 CVD 磊晶

2.2 MBE磊晶

3. 矽鍺元件

3.1 雙軸應變(bi-axial strained)MOSFETs

3.2 單軸應變(uni-axial strained)MOSFETs

3.3 SiGe HBTs

4. Ge元件

4.1 Ge MOSFETs

    4.2 Ge FinFETs
課程目的矽鍺技術已成功應用在半導體元件製造方面,如SiGe HBT, SiGe MOSFETs等。目前有關SiGe, Ge元件的研發仍然在持續當中。本課程主要讓學員在短時間內對SiGe材料的物理特性、電學特性、SiGe磊晶、SiGe相關元件以及最新進展有一個全面瞭解,以增強學員在該領域的知識背景和拓寬專業
開課日期2018-08-24
結束日期2018-08-31
出席時數每週五
上課時段Pm18:30~21:30
課程總時數6小時
上課地點交通大學工程四館301教室
實作地點無實作
下載報名表 P107154 矽鍺材料與元件
若無法線上報名, 請下載報名表寄至nctuee@nctu.edu.tw
學費
  1. 學員自付學費【由科管局補助80%】
    .2,000元 備註:一般價
    .1,500元 備註:特約廠商、3人(含)以上團報價
    .1,200元 備註:5人(含)以上團報優惠價
線上報名開始時間2018-03-21
線上報名結束時間2018-08-24
線上報名人數限制不限制
建立者林明霓
最後修改時間2018-08-14 10:56:17
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