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| 課程編號 | P107126 |
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| 課程分類 | IC製造與設備 |
| 課程名稱(中) | 【延10/28-電子資訊大樓503室】深次微米元件與製程模擬-進階應用（實作課） |
| 授課教師 | 李義明 |
| 課程程度 | 進階 |
| 先修科目或先備能力 | 上過初階課程:深次微米元件與製程模擬(實作課) |
| 課程大綱 | 1. 前瞻深次微米元件傳輸模式與模擬實務概論 2. 鰭式場效應電晶體/奈米線場效應電晶體之製程模擬實作 3. 鰭式場效應電晶體/奈米線場效應電晶體之元件結構模擬實作 4. 前瞻深次微米元件之DC/AC特性模擬實作與短通道參數萃取 |
| 課程目的 | 本課程旨在使用當代TCAD元件模擬器去建構並模擬三維度深次微米元件，包括深次微米HKMG MOSFET、鰭式場效應電晶體、全閘極奈米線場效應電晶體的電氣特性，如直流特性、電容特性、短通道參數；同時簡介並進行溫度效應、量子效應、製程變異、與隨機擾動之模擬實作。 |
| 開課日期 | 2018-10-28 |
| 結束日期 | 2018-11-04 |
| 出席時數 | 每週六、日 |
| 上課時段 | Am09:00~12:00, Pm13:00~16:00 |
| 課程總時數 | 18小時 |
| 上課地點 | 交通大學電子資訊研究大樓503室 |
| 實作地點 | 交通大學電子資訊研究大樓503室 |
| 下載報名表 | P107126 深次微米元件與製程模擬-進階應用（實作課） 若無法線上報名, 請下載報名表寄至nctuee@nctu.edu.tw |
| 學費 |
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| 線上報名開始時間 | 2018-03-20 |
| 線上報名結束時間 | 2018-10-25 |
| 線上報名人數限制 | 30人 |
| 建立者 | 江婉榕 |
| 最後修改時間 | 2018-10-12 08:11:10 |
