您的瀏覽器不支援Javascript,部分功能將無法呈現。

:::

課程管理

:::
課程資料
課程編號P107126
課程分類IC製造與設備
課程名稱(中)【延10/28-電子資訊大樓503室】深次微米元件與製程模擬-進階應用(實作課)
授課教師李義明
課程程度進階
先修科目或先備能力上過初階課程:深次微米元件與製程模擬(實作課)
課程大綱

1. 前瞻深次微米元件傳輸模式與模擬實務概論

2. 鰭式場效應電晶體/奈米線場效應電晶體之製程模擬實作

3. 鰭式場效應電晶體/奈米線場效應電晶體之元件結構模擬實作

4. 前瞻深次微米元件之DC/AC特性模擬實作與短通道參數萃取

5. 溫度效應、量子效應、製程變異、與隨機擾動之模擬實作  
課程目的本課程旨在使用當代TCAD元件模擬器去建構並模擬三維度深次微米元件,包括深次微米HKMG MOSFET、鰭式場效應電晶體、全閘極奈米線場效應電晶體的電氣特性,如直流特性、電容特性、短通道參數;同時簡介並進行溫度效應、量子效應、製程變異、與隨機擾動之模擬實作。
開課日期2018-10-28
結束日期2018-11-04
出席時數每週六、日
上課時段Am09:00~12:00, Pm13:00~16:00
課程總時數18小時
上課地點交通大學電子資訊研究大樓503室
實作地點交通大學電子資訊研究大樓503室
下載報名表 P107126 深次微米元件與製程模擬-進階應用(實作課)
若無法線上報名, 請下載報名表寄至nctuee@nctu.edu.tw
學費
  1. 學員自付學費【由科管局補助80%】
    .5,000元 備註:一般價
    .4,500元 備註:特約廠商、3人(含)以上團報價
    .4,000元 備註:5人(含)以上團報價、同時報名P107125+P107126二門課
線上報名開始時間2018-03-20
線上報名結束時間2018-10-25
線上報名人數限制30人
建立者江婉榕
最後修改時間2018-10-12 08:11:10
:::
web_use_log