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課程管理

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課程資料
課程編號E102203
課程分類IC製造與設備
課程名稱(中)【工程四館203教室】先進奈米級電晶體技術(含UTB, FinFET與奈米線元件)
授課教師林鴻志
課程程度
先修科目或先備能力
課程大綱
協助學員瞭解傳統平面CMOS元件發展的瓶頸與解決方案,3D半導體元件結構發展趨勢,3D半導體元件技術在邏輯與記憶體晶片之發展現況,與新式節能元件之原理與發展。
1. Planer CMOS: Scaling Trends and Challenges
2. Advanced Logic Device Technology
  - Ultra-thin body devices
  - Double-gated and tri-gated devices
  - Gate-all-around structure
  - Independent multiple-gated devices
  - Ultimate CMOS
3. Advanced Memory Device Technology
  - SRAM and DRAM
  - Non-volatile memory
  - 3D device integration
課程目的目前主流的平面CMOS元件結構預測在幾年內就將難以再微縮下去,屆時將會引用新式立體3D的結構(如FinFET)來延續邏輯電路的製作。另一方面,記憶體晶片早以使用立體3D的電晶體結構來進行奈米技術的量產。當代生產線與研發工程人員須對這些有別於傳統的各種新式結構特徵及其優缺點,以及相關的製程加工技術須有正確的認知,才能面對與應付將來新一代技術的挑戰與開發。本課程將可帶給IC產業相關工程與研發人員完整與心有價值的資訊,為下一代的量產技術作準備。
開課日期2013-05-06
結束日期2013-05-22
出席時數每週一、三
上課時段pm18:30-pm21:30
課程總時數18小時
上課地點交通大學工程四館2樓203教室
實作地點
下載報名表 先進奈米級電晶體技術簡章 MS Word
若無法線上報名, 請下載報名表寄至nctuee@nctu.edu.tw
學費
  1. 學費
    .5,000元 (費用總計 10,000元:工業局補助 5,000元,學員自付 5,000元)
    .1,000元 (中途加入,款項入P074)
線上報名開始時間2013-03-26
線上報名結束時間2013-05-06
線上報名人數限制50人
建立者
最後修改時間2013-05-01 10:45:24
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