您的瀏覽器不支援Javascript,部分功能將無法呈現。

:::

課程管理

:::
課程資料
課程編號P100228
課程分類IC製造與設備
課程名稱(中)高密度電漿製程
授課教師林鴻志
課程程度
先修科目或先備能力
課程大綱
1. Plasma Fundamentals
2. Reactor Technology
  (1) Diode
  (2) Triode
  (3) MERIE
  (4) ICP
  (5) ECR
  (6) Helicon Wave Plasma
  (7) Surface Wave Plasma
3 Applications
  (1) Etch
  (2) CVD
  (3) Plasma Doping
  (4) Surface Treatment
 
建議先備知識:半導體製程技術
課程目的協助學員瞭解電漿製程技術的基本原理與應用,各類型電漿反應腔之特色與設計重點,以及相關製程應用。
開課日期2011-08-16
結束日期2011-08-23
出席時數每週二
上課時段pm18:30-pm21:30
課程總時數6小時
上課地點交通大學【工程四館三樓303教室】
實作地點
下載報名表 P100228 高密度電漿製程簡章 MS Word
若無法線上報名, 請下載報名表寄至nctuee@nctu.edu.tw
學費
  1. 學費
    .1,000元 備註:一般價
    .500元 備註:特約廠商、3人以上團報
線上報名開始時間2011-05-13
線上報名結束時間2011-08-16
線上報名人數限制不限制
建立者陳敏玉
最後修改時間2012-05-04 16:57:43
:::
web_use_log