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課程管理

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課程資料
課程編號P107122
課程分類IC製造與設備
課程名稱(中)【工四館301室】CMOS電性量測與分析技術(實作課)
授課教師崔秉鉞
課程程度應用
先修科目或先備能力建議至少修畢一學期「半導體元件物理」或類似課程。
課程大綱

初階

1.低電流/低電壓測試系統(Low current/low voltage measurement technology)

2.MOS電容基本參數測試(Basic parameters of MOS capacitor)
3.MOSFET基本參數測試(Basic parameters of MOSFET)


中階             

1.接觸阻抗測試技術(Contact resistance measurement method)

2.介面能態測試技術(Interface state density measurement method)

3.電荷汲取測試技術(Charge pumping measurement method)
課程目的

從初階的系統建置、雜訊排除開始,由淺入深,搭配各式精密數位儀表以及高階針測臺,對奈米CMOS元件的測量原理、方法及其量測系統作深入介紹,使學員能掌握CMOS元件特性及影響其特性參數之量測知識。本課程採教學、實作並行,使學員能立即吸收上課內容。

開課日期2018-06-20
結束日期2018-08-01
出席時數每週三(7/11颱風停課)
上課時段Pm18:30~21:50
課程總時數20小時
上課地點交通大學工程四館301教室
實作地點交通大學工程四館321B計測實驗室
下載報名表 P107122CMOS電性量測與分析技術(實作課)
若無法線上報名, 請下載報名表寄至mnlin@mail.nctu.edu.tw
學費
  1. 學員自付學費【由科管局補助80%】
    .5,000元 備註:一般價
    .4,500元 備註:特約廠商、3人(含)以上團報價
    .4,000元 備註:5人(含)以上團報優惠價
    .3,000元 備註:學生價(需出示學生證)
線上報名開始時間2018-03-20
線上報名結束時間2018-06-20
線上報名人數限制30人
建立者林明霓
最後修改時間2018-07-12 10:05:40
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