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課程管理

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課程資料
課程編號P107110
課程分類IC設計
課程名稱(中)【延5/17-工四館303室】SRAM Design in Nanoscale CMOS
授課教師胡璧合
課程程度基礎
先修科目或先備能力
課程大綱

1. Introduction

2. 6T SRAM basic cell and peripheral design

3. Design challenges and circuit techniques for nanometer SRAM

4. 8T SRAM

5. Asymmetrical SRAM

6. Subthreshold SRAM

7. Fully-depleted SOI (FD/SOI) SRAM

8. Multi-gate FinFET SRAM

9. SRAM Circuit Simulation
課程目的本課程主要講述對奈米尺寸元件的SRAM設計技術,內容包含基礎6T SRAM操作及其週邊電路,奈米尺寸SRAM的設計挑戰及輔助電路技術,不同的SRAM結構,如非對稱SRAM8T SRAM,及適用於超低功耗操作下的Subthreshold SRAM,最後是前瞻奈米元件,如FD SOIMulti-gate FinFET,在SRAM應用的設計技術,實作課程將利用SPICE模擬SRAM電路,並分析讀取及寫入特性。
開課日期2018-05-17
結束日期2018-06-07
出席時數每週四
上課時段Pm18:30~21:30
課程總時數12小時
上課地點交通大學工程四館303教室
實作地點交通大學工程四館415電腦教室 (6/7)
下載報名表 P107110 SRAM Design in Nanoscale CMOS
若無法線上報名, 請下載報名表寄至mnlin@mail.nctu.edu.tw
學費
  1. 學員自付學費【由科管局補助80%】
    .4,000元 備註:一般價
    .3,500元 備註:特約廠商、3人(含)以上團報價
    .3,000元 備註:5人(含)以上團報優惠價
線上報名開始時間2018-03-20
線上報名結束時間2018-05-17
線上報名人數限制不限制
建立者林明霓
最後修改時間2018-05-18 10:00:01
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